超結功率MOSFET在高效功率系統中的關鍵問題與突破战略
特邀專家：李平 华润微电子（重庆）有限公司
講座時間：2025年6月25號 9:30
講座地點：國際創新中心B504報告廳
主講人簡介：
李平，博士师从中国功率半导体泰斗、電子科技大學陈星弼院士，深耕功率器件与芯片设计领域，具备深厚的理论积淀与产学研融合视角。曾任重庆大学青年教师，现加入华润微电子从事功率芯片设计事情。入选中科协青年人才托举工程者，中科协青年委员，中央企业主干人才等。华润团体首个青年人才创新基地卖力人，华润微电子功率器件事业群芯片设计分会主席，统筹技术路线计划、新技术平台开发、焦点技术解决。在IEEE EDL、TED、ISPSD等功率半導體領域頂級期刊發表論文30余篇（第一作者18篇），其中以第一作者發表的矽基功率器件研究論文入選2022年IEEE EDL封面論文（全球當年唯一入選的矽基事情）。申請中外發明專利30余項，部门技術打破國際巨頭壟斷，並實現大規模量産，推動國産功率芯片自主可控。主持國家及省部級科研項目多項，並作爲焦点骨幹參與國資委、工信部重大專項，助力關鍵技術攻關。主導開發多個FOM全球領先的功率MOSFET芯片平台。內容簡介：
随着电力电子系统向高效化、高密度化偏向生长，超結功率MOSFET（Super Junction MOSFET, SJ-MOSFET）因其優異的比導通電阻與耐壓性能，成爲中高壓領域（600V-900V）的焦点器件。然而，其在動態特性、可靠性及系統應用中的瓶頸問題仍需持續解決。本次講座將圍繞超結MOSFET的三大關鍵挑戰——比導通電阻優化、反向恢複優化和振蕩優化。結合産業一線需要，深入探討其物理機理、技術難點及前沿突破战略，爲高效功率系統的設計與器件開發提供新思路。
